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STB8NM60D  与  FQB8N60CTM  区别

型号 STB8NM60D FQB8N60CTM
唯样编号 A36-STB8NM60D A-FQB8N60CTM
制造商 STMicroelectronics ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 600 V 1 Ohm Surface Mount MDmesh™ Power MosFet - D2PAK N-Channel 600 V 7.5 A 1.2 O Surface Mount QFET® Mosfet - TO-263
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 3.13W(Ta),147W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs - 1.2 欧姆 @ 3.75A,10V
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 3.13W(Ta),147W(Tc)
栅极电压Vgs - ±30V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 - TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
连续漏极电流Id - 7.5A
工作温度 - -55°C ~ 150°C(TJ)
系列 - QFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1255pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 36nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1255pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 36nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STB8NM60D STMicro  数据手册 功率MOSFET

暂无价格 0 当前型号
FQB8N60CTM ON Semiconductor 功率MOSFET

7.5A(Tc) ±30V 3.13W(Ta),147W(Tc) 1.2Ω@3.75A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB D2PAK N-Channel 600V 7.5A 1.2 欧姆 @ 3.75A,10V -55°C ~ 150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

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FQB8N60CTM ON Semiconductor 功率MOSFET

7.5A(Tc) ±30V 3.13W(Ta),147W(Tc) 1.2Ω@3.75A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB D2PAK N-Channel 600V 7.5A 1.2 欧姆 @ 3.75A,10V -55°C ~ 150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

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