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SPD15P10PLGBTMA1  与  DMP10H400SK3-13  区别

型号 SPD15P10PLGBTMA1 DMP10H400SK3-13
唯样编号 A36-SPD15P10PLGBTMA1 A3-DMP10H400SK3-13
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P-CH 100V 15A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 128W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 240mΩ@5A,10V
漏源极电压Vds - 100V
Pd-功率耗散(Max) - 42W(Tc)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1490pF @ 25V -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 P 通道 P-Channel
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 DPAK
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2V @ 1.54mA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 62nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 9A
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1239pF @ 25V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 200 毫欧 @ 11.3A,10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 17.5nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 15A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) 100V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
2,500+ :  ¥1.2455
12,500+ :  ¥1.1532
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SPD15P10PLGBTMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPD15P10PL G_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

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¥3.564 

阶梯数 价格
20: ¥3.564
100: ¥2.75
1,250: ¥2.387
2,500: ¥2.255
3,661 对比
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DPAK

¥2.09 

阶梯数 价格
30: ¥2.09
100: ¥1.606
1,250: ¥1.408
2,077 对比
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¥1.2455 

阶梯数 价格
2,500: ¥1.2455
12,500: ¥1.1532
0 对比

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