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SI4909DY-T1-GE3  与  DMP4025LSD-13  区别

型号 SI4909DY-T1-GE3 DMP4025LSD-13
唯样编号 A36-SI4909DY-T1-GE3 A-DMP4025LSD-13
制造商 Vishay Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Dual P-Channel 40 V 27 mOhm Surface Mount TrenchFET Power Mosfet - SOIC-8 MOSFET 2P-CH 40V 6.9A 8SO
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 27mΩ -
漏源极电压Vds - 40V
Pd-功率耗散(Max) 3.2W 1.8W
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 25mΩ@3A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1640pF @ 20V
FET类型 P-Channel 2P-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 33.7nC @ 10V
封装/外壳 SOIC-8 8-SO
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id 8A 6.9A
系列 TrenchFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2000pF @ 20V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 63nC @ 10V -
库存与单价
库存 292 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥4.29
100+ :  ¥3.564
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI4909DY-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

3.2W -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 P-Channel 8A 27mΩ

¥4.29 

阶梯数 价格
20: ¥4.29
100: ¥3.564
292 当前型号
DMP4025LSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

2P-Channel 1.8W 8-SO -55℃~150℃(TJ) 40V 6.9A

¥3.267 

阶梯数 价格
20: ¥3.267
100: ¥2.519
1,250: ¥2.189
2,500: ¥2.09
13,016 对比
DMP4025LSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

2P-Channel 1.8W 8-SO -55℃~150℃(TJ) 40V 6.9A

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