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SCT3030ALGC11  与  IPW60R041P6FKSA1  区别

型号 SCT3030ALGC11 IPW60R041P6FKSA1
唯样编号 A36-SCT3030ALGC11 A-IPW60R041P6FKSA1
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 SiC MOSFET 功率MOSFET
描述 SCT3030AL Series 650 V 70 A 39 mOhm N-Channel SiC Power Mosfet - TO-247N MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 481W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 39mΩ@27A,18V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 650V -
Pd-功率耗散(Max) 262W(Tc) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 8180pF @ 100V
栅极电压Vgs +22V,-4V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 TO-247-3 TO-247-3
连续漏极电流Id 70A(Tc) -
工作温度 175°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4.5V @ 2.96mA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 170nC @ 10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5.6V @ 13.3mA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1526pF @ 500V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 104nC @ 18V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 41 毫欧 @ 35.5A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 18V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 77.5A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 600V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SCT3030ALGC11 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

null

暂无价格 0 当前型号
FCH041N60E ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

77A(Tc) ±20V 592W(Tc) 41m Ohms@39A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-247-3 TO-247 N-Channel 600V 77A

¥13.732 

阶梯数 价格
1: ¥13.732
10 对比
FCH041N60E ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

77A(Tc) ±20V 592W(Tc) 41m Ohms@39A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-247-3 TO-247 N-Channel 600V 77A

暂无价格 0 对比
FCH041N60F ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

76A(Tc) ±20V 595W(Tc) 41m Ohms@38A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-247-3 TO-247 N-Channel 600V 76A

暂无价格 0 对比
IPW60R041P6FKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPW60R041P6_N 通道 TO-247-3 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IPW60R041P6 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPW60R041P6FKSA1_600V 77.5A 37mΩ 20V 481W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比

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