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RQ3E180BNTB  与  AON7516  区别

型号 RQ3E180BNTB AON7516
唯样编号 A36-RQ3E180BNTB A36-AON7516-1
制造商 ROHM Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 83
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.9mΩ@18A,10V 4.5mΩ@10V
ESD Diode - No
Rds On(Max)@4.5V - 6.8mΩ
Qgd(nC) - 5.5
栅极电压Vgs ±20V 20V
Td(on)(ns) - 7
封装/外壳 8-PowerVDFN DFN 3x3 EP
连续漏极电流Id 39A(Tc) 30A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
Ciss(pF) - 1229
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3500pF @ 15V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 12.6
Td(off)(ns) - 24
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta),20W(Tc) 25W
Qrr(nC) - 15.2
VGS(th) - 2.2
FET类型 N-Channel N-Channel
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 37nC @ 4.5V -
Coss(pF) - 526
Qg*(nC) - 12
库存与单价
库存 1,925 23,786
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
30+ :  ¥2.222
100+ :  ¥1.782
750+ :  ¥1.595
1,500+ :  ¥1.507
40+ :  ¥1.2969
100+ :  ¥0.9999
1,250+ :  ¥0.8316
2,500+ :  ¥0.7554
5,000+ :  ¥0.693
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RQ3E180BNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-PowerVDFN

¥2.222 

阶梯数 价格
30: ¥2.222
100: ¥1.782
750: ¥1.595
1,500: ¥1.507
1,925 当前型号
AON7516 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN3x3EP

¥1.2969 

阶梯数 价格
40: ¥1.2969
100: ¥0.9999
1,250: ¥0.8316
2,500: ¥0.7554
5,000: ¥0.693
23,786 对比
AON7534 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN3x3EP

¥1.276 

阶梯数 价格
40: ¥1.276
100: ¥0.9812
1,250: ¥0.8184
2,500: ¥0.7436
5,000: ¥0.682
11,184 对比
AON6362 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN5x6

¥3.8462 

阶梯数 价格
1: ¥3.8462
100: ¥3.0612
1,000: ¥2.2059
1,500: ¥1.8987
3,000: ¥1.5
2,987 对比
AON6576 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN5x6

¥0.9383 

阶梯数 价格
60: ¥0.9383
200: ¥0.6479
1,500: ¥0.5874
1,670 对比
AON6576 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN5x6

暂无价格 0 对比

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