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RF4G060ATTCR  与  BUK6D43-40PX  区别

型号 RF4G060ATTCR BUK6D43-40PX
唯样编号 A36-RF4G060ATTCR A36-BUK6D43-40PX
制造商 ROHM Semiconductor Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 PCH -40V -6A POWER, DFN2020, MOS
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 2W(Ta) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - -40V
Pd-功率耗散(Max) - 15W
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 880 pF @ 20 V -
输出电容 - 106pF
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 6-PowerUDFN SOT1220
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 17.2 nC @ 10 V -
工作温度 150°C(TJ) -55°C ~ 175°C
连续漏极电流Id - 6A
输入电容 - 1260pF
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 40 毫欧 @ 6A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 6A(Ta) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
漏源电压(Vdss) 40 V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 43mΩ@6A,10V
库存与单价
库存 0 5,465
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
30+ :  ¥1.848
100+ :  ¥1.43
750+ :  ¥1.188
1,500+ :  ¥1.0813
3,000+ :  ¥0.9922
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RF4G060ATTCR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

P-Channel 6-PowerUDFN 150°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
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1,260: ¥1.3784
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阶梯数 价格
10: ¥2.4255
100: ¥1.7967
1,000: ¥1.3928
1,500: ¥1.1416
3,000: ¥1.0473
17,037 对比
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BUK6D43-40P_SOT1220 P-Channel 15W -55°C ~ 175°C ±20V -40V 6A

¥1.848 

阶梯数 价格
30: ¥1.848
100: ¥1.43
750: ¥1.188
1,500: ¥1.0813
3,000: ¥0.9922
5,465 对比

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