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RE1L002SNTL  与  RSE002N06TL  区别

型号 RE1L002SNTL RSE002N06TL
唯样编号 A36-RE1L002SNTL A36-RSE002N06TL
制造商 ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 小信号MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 2.4Ω@250mA,10V 1.7Ω
上升时间 - 5ns
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 150W(Tc) 150mW
栅极电压Vgs ±20V 20V
典型关闭延迟时间 - 18ns
正向跨导 - 最小值 - 0.25S
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 EMTF EMT
工作温度 -55°C~150°C(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 0.25A 250mA
系列 - RSE002N06
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 1mA 2.3V @ 1mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 15pF @ 25V 15pF @ 25V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 2.5V,10V
下降时间 - 28ns
典型接通延迟时间 - 3.5ns
库存与单价
库存 845 0
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
70+ :  ¥0.7271
200+ :  ¥0.286
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RE1L002SNTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

±20V 150W(Tc) 2.4Ω@250mA,10V -55°C~150°C(TJ) EMTF N-Channel 60V 0.25A

¥0.7271 

阶梯数 价格
70: ¥0.7271
200: ¥0.286
845 当前型号
RSE002N06TL ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

150°C(TJ) EMT 250mA 150mW 1.7Ω 60V 20V N-Channel

¥0.8851 

阶梯数 价格
170: ¥0.8851
500: ¥0.7956
1,000: ¥0.716
2,000: ¥0.716
2,000 对比
RSE002N06TL ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

150°C(TJ) EMT 250mA 150mW 1.7Ω 60V 20V N-Channel

¥0.8851 

阶梯数 价格
170: ¥0.8851
500: ¥0.7956
1,000: ¥0.716
1,099 对比
RSE002N06TL ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

150°C(TJ) EMT 250mA 150mW 1.7Ω 60V 20V N-Channel

暂无价格 0 对比
RSE002N06TL ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

150°C(TJ) EMT 250mA 150mW 1.7Ω 60V 20V N-Channel

暂无价格 0 对比
RSE002N06TL ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

150°C(TJ) EMT 250mA 150mW 1.7Ω 60V 20V N-Channel

暂无价格 0 对比

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