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PSMN2R0-30YL,115  与  TPCA8026(TE12L,Q,M  区别

型号 PSMN2R0-30YL,115 TPCA8026(TE12L,Q,M
唯样编号 A36-PSMN2R0-30YL,115 A-TPCA8026(TE12L,Q,M
制造商 Nexperia Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 PSMN Series 30 V 2 mOhm 97 W N-Channel Logic Level Mosfet SMT - SOT-669 MOSFET N-CH 30V 45A 8SOP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V 30 V
Pd-功率耗散(Max) 97W 1.6W(Ta),45W(Tc)
产品状态 - 停产
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 2.2 毫欧 @ 23A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 4200 pF @ 10 V
Vgs(th) - 2.5V @ 1mA
输出电容 857pF -
栅极电压Vgs 1.7V -
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 113 nC @ 10 V
封装/外壳 SOT669 8-SOP Advance(5x5)
工作温度 175℃ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 100A 45A(Ta)
输入电容 3980pF -
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
Rds On(max)@Id,Vgs 2.63mΩ@4.5V,2mΩ@10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN2R0-30YL,115 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN2R0-30YL_SOT669 N-Channel 97W 175℃ 1.7V 30V 100A

暂无价格 0 当前型号
BSC020N03MSGATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

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暂无价格 0 对比
BSC020N03LS G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC020N03LSGATMA1_30V 100A 1.7mΩ 20V 96W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
BSC020N03LSGATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC020N03LS G_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
BSC020N03MS G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC020N03MSGATMA1_30V 25A 1.7mΩ 20V 96W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
TPCA8026(TE12L,Q,M Toshiba  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 1.6W(Ta),45W(Tc) 8-SOP Advance(5x5) 150°C(TJ) 30 V 45A(Ta)

暂无价格 0 对比

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