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PMV50ENEAR  与  DMN3150L-7  区别

型号 PMV50ENEAR DMN3150L-7
唯样编号 A36-PMV50ENEAR A3-DMN3150L-7
制造商 Nexperia Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 3.9A TO236AB MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 1.3 mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 85mΩ@3.6A,4.5V
上升时间 - 3.49 ns
漏源极电压Vds 30V 28V
Pd-功率耗散(Max) 0.51W 1.4W(Ta)
输出电容 55pF -
栅极电压Vgs ±20V ±12V
典型关闭延迟时间 - 15.02 ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT23 SOT-23
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 3.9A 3.8A
系列 - DMN
配置 - Single
通道数量 - 1 Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1.4V @ 250µA
输入电容 276pF -
长度 - 2.9 mm
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 305pF @ 5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 2.5V,10V
Rds On(max)@Id,Vgs 43mΩ@3.9A,10V -
典型接通延迟时间 - 1.14 ns
高度 - 1 mm
库存与单价
库存 2,692 48,000
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
50+ :  ¥1.243
200+ :  ¥0.9537
1,500+ :  ¥0.8294
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PMV50ENEAR Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

PMV50ENEA_SOT23

¥1.243 

阶梯数 价格
50: ¥1.243
200: ¥0.9537
1,500: ¥0.8294
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¥0.5395 

阶梯数 价格
100: ¥0.5395
200: ¥0.3484
1,500: ¥0.3029
3,000: ¥0.2678
28,440 对比

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