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NTS4101PT1G  与  BSS223PWH6327XTSA1  区别

型号 NTS4101PT1G BSS223PWH6327XTSA1
唯样编号 A36-NTS4101PT1G A-BSS223PWH6327XTSA1
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 未分类 小信号MOSFET
描述 表面贴装型 P 通道 20 V 1.37A(Ta) 329mW(Ta) SC-70-3(SOT323) MOSFET P-CH 20V 390MA SOT323-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 250mW(Ta)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
产品特性 - 车规
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 56pF @ 15V
FET类型 - P 通道
封装/外壳 SC-70,SOT-323 SC-70,SOT-323
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 1.2V @ 1.5uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 0.62nC @ 4.5V
工作温度 - -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 1.2 欧姆 @ 390mA,4.5V
Vgs(最大值) - ±12V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 390mA(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 2.5V,4.5V
漏源电压(Vdss) - 20V
库存与单价
库存 11,577 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
90+ :  ¥0.6149
200+ :  ¥0.4706
1,500+ :  ¥0.4082
3,000+ :  ¥0.3614
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
NTS4101PT1G ON Semiconductor  数据手册 未分类

¥0.6149 

阶梯数 价格
90: ¥0.6149
200: ¥0.4706
1,500: ¥0.4082
3,000: ¥0.3614
11,577 当前型号
DMG1013UW-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±6V 310mW(Ta) 750mΩ@430mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-323 P-Channel 20V 0.82A

¥0.6655 

阶梯数 价格
80: ¥0.6655
200: ¥0.2613
1,500: ¥0.1905
3,000: ¥0.15
53,596 对比
DMP2160UW-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±12V 350mW(Ta) 100mΩ@1.5A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-323 P-Channel 20V 1.5A

¥0.5356 

阶梯数 价格
100: ¥0.5356
200: ¥0.3471
1,500: ¥0.3016
3,000: ¥0.2665
8,479 对比
BSS223PWH6327XTSA1 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSS223PW H6327_P 通道 SC-70,SOT-323 -55°C ~ 150°C(TJ) 车规

暂无价格 0 对比
BSS223PW H6327 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSS223PWH6327XTSA1_20V 390mA 2.1Ω -2.5V 250mW P-Channel -55°C~150°C 车规

暂无价格 0 对比
DMP2160UW-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±12V 350mW(Ta) 100mΩ@1.5A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-323 P-Channel 20V 1.5A

暂无价格 0 对比

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