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NTR4171PT1G  与  DMG2307L-7  区别

型号 NTR4171PT1G DMG2307L-7
唯样编号 A36-NTR4171PT1G A3-DMG2307L-7
制造商 ON Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 通用MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 1.3 mm -
功率 - 0.76W
正向跨导-最小值 7 S -
Rds On(Max)@Id,Vgs 75mΩ@2.2A,10V 90mΩ@2.5A,10V
上升时间 16 ns -
栅极电压Vgs ±12V ±20V
封装/外壳 SOT-23 SOT-23
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 2.2A(Ta) 3.8A
配置 Single -
长度 2.9 mm -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,10V 4.5V,10V
下降时间 22 ns -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 720pF @ 15V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.4V @ 250µA -
高度 0.94 mm -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 480mW(Ta) -
典型关闭延迟时间 32 ns -
FET类型 P-Channel P-Channel
系列 NTR4171P DMG
通道数量 1 Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.4V @ 250µA 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 720pF @ 15V 371.3pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 15.6nC @ 10V 8.2nC @ 10V
典型接通延迟时间 9 ns -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 15.6nC @ 10V -
库存与单价
库存 1,902 45,200
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
50+ :  ¥1.232
200+ :  ¥0.946
1,500+ :  ¥0.8228
暂无价格
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