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NTR4101PT1G  与  IRLML6402TRPBF  区别

型号 NTR4101PT1G IRLML6402TRPBF
唯样编号 A36-NTR4101PT1G A32-IRLML6402TRPBF-0
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 P-Channel 20 V 70 mOhm 0.73 W Surface Mount Trench Power MOSFET - SOT-23 MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 85m Ohms@1.6A,4.5V 65mΩ@3.7A,4.5V
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 420mW(Ta) 1.3W
栅极电压Vgs ±8V ±12V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 SOT-23 SOT-23
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 3.2A 3.7A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250µA 1.2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 675pF @ 10V 633pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 8.5nC @ 4.5V 12nC @ 5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 1.8V,4.5V 2.5V,4.5V
库存与单价
库存 3,879 36,000
工厂交货期 3 - 15天 7 - 14天
单价(含税)
70+ :  ¥0.7513
200+ :  ¥0.5733
1,500+ :  ¥0.4979
3,000+ :  ¥0.4407
3,000+ :  ¥0.5459
6,000+ :  ¥0.5323
12,000+ :  ¥0.5189
24,000+ :  ¥0.506
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
NTR4101PT1G ON Semiconductor 功率MOSFET

SOT-23

¥0.7513 

阶梯数 价格
70: ¥0.7513
200: ¥0.5733
1,500: ¥0.4979
3,000: ¥0.4407
3,879 当前型号
IRLML6402TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

¥0.5459 

阶梯数 价格
3,000: ¥0.5459
6,000: ¥0.5323
12,000: ¥0.5189
24,000: ¥0.506
48,000: ¥0.4934
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暂无价格 42,000 对比
IRLML6402TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

¥0.5459 

阶梯数 价格
3,000: ¥0.5459
6,000: ¥0.5323
12,000: ¥0.5189
24,000: ¥0.506
36,000 对比

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