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MMBF170LT1G  与  DMN601K-7  区别

型号 MMBF170LT1G DMN601K-7
唯样编号 A36-MMBF170LT1G A3-DMN601K-7
制造商 ON Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 225mW(Ta) -
宽度 - 1.3mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 5 欧姆 @ 200mA,10V
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) - 350mW
栅极电压Vgs ±20V 20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT-23 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -65°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 500mA(Ta) 800mA
配置 - Single
系列 - DMN60
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 1mA 2.5V @ 1mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 60pF @ 10V 50pF @ 25V
长度 - 2.9mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 5V,10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 60pF @ 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 1mA -
高度 - 1mm
库存与单价
库存 23,799 93,200
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
90+ :  ¥0.5863
200+ :  ¥0.377
1,500+ :  ¥0.3289
3,000+ :  ¥0.2912
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
MMBF170LT1G ON Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

¥0.5863 

阶梯数 价格
90: ¥0.5863
200: ¥0.377
1,500: ¥0.3289
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1,500: ¥0.2325
3,000: ¥0.1605
45,107 对比

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