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MMBD4448H-7-F  与  MMBD4448H-7  区别

型号 MMBD4448H-7-F MMBD4448H-7
唯样编号 A36-MMBD4448H-7-F A-MMBD4448H-7
制造商 Diodes Incorporated Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 整流二极管 整流二极管
描述 DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3 DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 SOT-23 SOT-23
反向漏电流Ir 100nA 100nA
结电容Cj 3.5pF@6V,1MHz -
反向电压Vr 80V 80V
工作温度 -65℃~150℃ -
反向峰值电压Vrrm 80V -
正向电压Vf 1.25V 1.25V
正向电流If 250mA 250mA
正向浪涌电流Ifsm 4A -
工作温度-结 - -65℃~150℃
反向恢复时间Trr 4ns 4ns
库存与单价
库存 307 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
70+ :  ¥0.7271
200+ :  ¥0.286
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
MMBD4448H-7-F Diodes Incorporated  数据手册 整流二极管

SOT-23

¥0.7271 

阶梯数 价格
70: ¥0.7271
200: ¥0.286
307 当前型号
BAS16E6327HTSA1 Infineon  数据手册 RF二极管

BAS 16 E6327_TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

暂无价格 0 对比
MMBD4448H-7 Diodes Incorporated  数据手册 整流二极管

SOT-23

暂无价格 0 对比
BAS16E6433HTMA1 Infineon  数据手册 RF二极管

BAS 16 E6433_TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

暂无价格 0 对比
BAS116E6433HTMA1 Infineon  数据手册 RF二极管

BAS 116 E6433_TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

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BAS116E6327HTSA1 Infineon  数据手册 RF二极管

BAS 116 E6327_TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

暂无价格 0 对比

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