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MGSF2N02ELT1G  与  RUR020N02TL  区别

型号 MGSF2N02ELT1G RUR020N02TL
唯样编号 A36-MGSF2N02ELT1G A33-RUR020N02TL-2
制造商 ON Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 小信号MOSFET
描述 RUR020N02 Series 20 V 2 A 2 nC Surface Mount N-Channel Mosfet - TSMT-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 1.25W(Ta) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 85 毫欧 @ 3.6A,4.5V 105mΩ@2A,4.5V
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) - 540mW(Ta)
栅极电压Vgs ±8V ±10V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT-23 TSMT
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 2.8A(Ta) 2A
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA 1V @ 1mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 150pF @ 5V 180pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 3.5nC @ 4V 2nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V 1.5V,4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 150pF @ 5V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 3.5nC @ 4V -
库存与单价
库存 4,918 19,416
工厂交货期 3 - 15天 21 - 28天
单价(含税)
40+ :  ¥1.628
100+ :  ¥1.254
750+ :  ¥1.0417
1,500+ :  ¥0.9471
3,000+ :  ¥0.869
110+ :  ¥1.4757
500+ :  ¥1.2362
1,000+ :  ¥1.1978
2,000+ :  ¥1.1116
4,000+ :  ¥1.102
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
MGSF2N02ELT1G ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

SOT-23

¥1.628 

阶梯数 价格
40: ¥1.628
100: ¥1.254
750: ¥1.0417
1,500: ¥0.9471
3,000: ¥0.869
4,918 当前型号
DMG2302U-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

¥0.4056 

阶梯数 价格
130: ¥0.4056
200: ¥0.2613
3,000: ¥0.2325
145,448 对比
RUR020N02TL ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

TSMT

¥1.4757 

阶梯数 价格
110: ¥1.4757
500: ¥1.2362
1,000: ¥1.1978
2,000: ¥1.1116
4,000: ¥1.102
19,416 对比
RUR040N02TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SC-96

¥0.88 

阶梯数 价格
3,000: ¥0.88
15,000 对比
NDS331N ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SuperSOT TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

¥0.66 

阶梯数 价格
3,000: ¥0.66
6,000: ¥0.6435
15,000: ¥0.6274
15,000 对比
RUR020N02TL ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

TSMT

¥1.4757 

阶梯数 价格
110: ¥1.4757
500: ¥1.2362
1,000: ¥1.1978
2,000: ¥1.1116
4,000: ¥1.102
8,830 对比

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