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IRLR2705TRPBF  与  DMN6040SK3-13  区别

型号 IRLR2705TRPBF DMN6040SK3-13
唯样编号 A36-IRLR2705TRPBF A36-DMN6040SK3-13
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET MOSFET
描述 Single N-Channel 55 V 68 W 25 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - DPAK MOSFET N CH 60V 20A TO252
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 40mΩ@17A,10V -
漏源极电压Vds 55V 60V
Pd-功率耗散(Max) 68W(Tc) 42W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 40mΩ@20A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1287 pF @ 25 V
栅极电压Vgs ±16V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 22.4 nC @ 10 V
封装/外壳 D-Pak TO-252-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id 28A 20A(Tc)
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA -
驱动电压 - 4.5V,10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 880pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 25nC @ 5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 880pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 25nC @ 5V -
库存与单价
库存 10,694 6,041
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
30+ :  ¥2.233
100+ :  ¥1.716
1,000+ :  ¥1.496
2,000+ :  ¥1.408
30+ :  ¥1.749
100+ :  ¥1.342
1,250+ :  ¥1.144
2,500+ :  ¥0.968
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLR2705TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

¥2.233 

阶梯数 价格
30: ¥2.233
100: ¥1.716
1,000: ¥1.496
2,000: ¥1.408
10,694 当前型号
STD16NF06T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 30,000 对比
STD20NF06LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

¥3.839 

阶梯数 价格
20: ¥3.839
100: ¥2.948
1,250: ¥2.563
2,500: ¥2.42
16,183 对比
STD20NF06LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 10,000 对比
STD20NF06T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 10,000 对比
DMN6040SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TO-252-3

¥1.749 

阶梯数 价格
30: ¥1.749
100: ¥1.342
1,250: ¥1.144
2,500: ¥0.968
6,041 对比

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