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IRLR2705TRPBF  与  STD16NF06T4  区别

型号 IRLR2705TRPBF STD16NF06T4
唯样编号 A36-IRLR2705TRPBF A3-STD16NF06T4
制造商 Infineon Technologies STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Single N-Channel 55 V 68 W 25 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - DPAK MOSFET N-CH 60V 16A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 40mΩ@17A,10V -
漏源极电压Vds 55V -
Pd-功率耗散(Max) 68W(Tc) -
栅极电压Vgs ±16V -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 D-Pak TO-252-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -
连续漏极电流Id 28A -
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 880pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 25nC @ 5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 880pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 25nC @ 5V -
库存与单价
库存 16,009 0
工厂交货期 3 - 15天 21 - 28天
单价(含税)
30+ :  ¥2.233
100+ :  ¥1.716
1,000+ :  ¥1.496
2,000+ :  ¥1.408
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