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IRLML5203TRPBF  与  DMG2307LQ-7  区别

型号 IRLML5203TRPBF DMG2307LQ-7
唯样编号 A36-IRLML5203TRPBF A36-DMG2307LQ-7
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single P-Channel 30 V 1.25 W 9.5 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - MICRO-3 P Channel 30 V 90 mO 1.36 W SOT-23 Automotive-grade SMT Power MosFet
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 98mΩ@3A,10V 90mΩ
上升时间 - 7.3ns
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.25W(Ta) 1.36W
Qg-栅极电荷 - 8.2nC
栅极电压Vgs ±20V 3V
典型关闭延迟时间 - 22.4ns
FET类型 P-Channel -
封装/外壳 SOT-23 SOT-23-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 3A 3.8A
系列 HEXFET® DMG2307L
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 510pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 14nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
下降时间 - 13.4ns
典型接通延迟时间 - 4.8ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 510pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 14nC @ 10V -
库存与单价
库存 1,889 13,322
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
70+ :  ¥0.7326
200+ :  ¥0.5967
1,500+ :  ¥0.5421
90+ :  ¥0.5984
200+ :  ¥0.4563
1,500+ :  ¥0.3965
3,000+ :  ¥0.351
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLML5203TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

¥0.7326 

阶梯数 价格
70: ¥0.7326
200: ¥0.5967
1,500: ¥0.5421
1,889 当前型号
DMG2307L-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

SOT-23

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IRLML5203TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

¥1.2937 

阶梯数 价格
120: ¥1.2937
500: ¥1.1691
1,000: ¥1.1691
2,000: ¥1.1595
4,000: ¥1.1595
17,870 对比
DMG2307LQ-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3

¥0.5984 

阶梯数 价格
90: ¥0.5984
200: ¥0.4563
1,500: ¥0.3965
3,000: ¥0.351
13,322 对比

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