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IRLML5103TRPBF  与  BSH202,215  区别

型号 IRLML5103TRPBF BSH202,215
唯样编号 A36-IRLML5103TRPBF A32-BSH202,215
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 通用MOSFET
描述 Single P-Channel 30 V 1 Ohm 5.1 nC 540 W Generation V SMT Mosfet - SOT-23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 600mΩ@600mA,10V -
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 540mW(Ta) -
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 Micro3™/SOT-23 SOT23
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
连续漏极电流Id 0.76A -
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 75pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 5.1nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 75pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 5.1nC @ 10V -
库存与单价
库存 2,231 3,000
工厂交货期 3 - 15天 7 - 14天
单价(含税)
80+ :  ¥0.6765
200+ :  ¥0.5512
1,500+ :  ¥0.5005
1+ :  ¥1.0181
25+ :  ¥0.8777
100+ :  ¥0.7565
1,000+ :  ¥0.6521
3,000+ :  ¥0.5623
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLML5103TRPBF Infineon  数据手册 小信号MOSFET

Micro3™/SOT-23

¥0.6765 

阶梯数 价格
80: ¥0.6765
200: ¥0.5512
1,500: ¥0.5005
2,231 当前型号
IRLML5103TRPBF Infineon  数据手册 小信号MOSFET

Micro3™/SOT-23

¥2.3286 

阶梯数 价格
70: ¥2.3286
100: ¥1.7345
500: ¥1.3416
1,000: ¥1.2649
2,000: ¥1.2074
4,000: ¥1.1595
6,000 对比
IRLML6302TRPBF Infineon  数据手册 通用MOSFET

Micro3™/SOT-23

¥0.8652 

阶梯数 价格
180: ¥0.8652
500: ¥0.8552
1,000: ¥0.8353
2,000: ¥0.8254
4,000: ¥0.8254
6,000 对比
ZXM61P03FTA Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

¥0.891 

阶梯数 价格
60: ¥0.891
200: ¥0.6138
1,500: ¥0.5577
3,243 对比
BSH202,215 Nexperia  数据手册 通用MOSFET

BSH202_SOT23

¥1.0181 

阶梯数 价格
1: ¥1.0181
25: ¥0.8777
100: ¥0.7565
1,000: ¥0.6521
3,000: ¥0.5623
3,000 对比
IRLML6302TRPBF Infineon  数据手册 通用MOSFET

Micro3™/SOT-23

¥0.6765 

阶梯数 价格
80: ¥0.6765
200: ¥0.5512
1,500: ¥0.5005
2,681 对比

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