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IRLML0100TRPBF  与  DMN10H220L-7  区别

型号 IRLML0100TRPBF DMN10H220L-7
唯样编号 A36-IRLML0100TRPBF A-DMN10H220L-7
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single HexFet 100 V 1.3 W 2.5 nC Silicon Surface Mount Mosfet - MICRO-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 220mΩ@1.6A,10V 220mΩ@1.6A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 1.3W 1.3W(Ta)
栅极电压Vgs ±16V ±16V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT-23 SOT-23
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 1.6A 1.6A
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 401pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 8.3nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
库存与单价
库存 15,728 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
80+ :  ¥0.6853
200+ :  ¥0.5577
1,500+ :  ¥0.5083
3,000+ :  ¥0.4745
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLML0100TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

¥0.6853 

阶梯数 价格
80: ¥0.6853
200: ¥0.5577
1,500: ¥0.5083
3,000: ¥0.4745
15,728 当前型号
DMN10H220L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

暂无价格 24,500 对比
DMN10H220L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

¥0.7139 

阶梯数 价格
80: ¥0.7139
200: ¥0.5811
1,500: ¥0.5291
3,000: ¥0.494
14,023 对比
PMV213SN,215 Nexperia  数据手册 通用MOSFET

PMV213SN_SOT23

¥1.628 

阶梯数 价格
40: ¥1.628
100: ¥1.254
351 对比
PMV213SN,215 Nexperia  数据手册 通用MOSFET

PMV213SN_SOT23

¥1.6044 

阶梯数 价格
590: ¥1.6044
1,000: ¥1.2437
1,500: ¥1.0194
3,000: ¥0.9352
0 对比
DMN10H220L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

暂无价格 0 对比

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