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IRFR9120NTRPBF  与  DMP10H400SK3-13  区别

型号 IRFR9120NTRPBF DMP10H400SK3-13
唯样编号 A36-IRFR9120NTRPBF A3-DMP10H400SK3-13
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Single P-Channel 100 V 0.48 Ohm 27 nC 40 W Surface Mount Mosfet - TO-252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 480mΩ@3.9A,10V 240mΩ@5A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 40W(Tc) 42W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 D-Pak DPAK
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 6.6A 9A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 350pF @ 25V 1239pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 27nC @ 10V 17.5nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 350pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 27nC @ 10V -
库存与单价
库存 16,223 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
30+ :  ¥2.233
100+ :  ¥1.716
1,000+ :  ¥1.496
2,000+ :  ¥1.408
2,500+ :  ¥1.2455
12,500+ :  ¥1.1532
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFR9120NTRPBF Infineon  数据手册 通用MOSFET

D-Pak

¥2.233 

阶梯数 价格
30: ¥2.233
100: ¥1.716
1,000: ¥1.496
2,000: ¥1.408
16,223 当前型号
DMP10H400SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

DPAK

¥2.09 

阶梯数 价格
30: ¥2.09
100: ¥1.606
1,250: ¥1.408
2,107 对比
IRFR9120NTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

暂无价格 0 对比
DMP10H400SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

DPAK

暂无价格 0 对比
DMP10H400SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

DPAK

¥1.2455 

阶梯数 价格
2,500: ¥1.2455
12,500: ¥1.1532
0 对比

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