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IRFR6215TRPBF  与  AUIRFR6215TRL  区别

型号 IRFR6215TRPBF AUIRFR6215TRL
唯样编号 A36-IRFR6215TRPBF A-AUIRFR6215TRL
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single P-Channel 150 V 0.58 Ohm 66 nC 110 W Surface Mount Mosfet - TO-252AA P Channel 150 V 0.295 O 110 W Surface Mount Auto Grade Mosfet - TO-252 (DPAK)
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 295mΩ@6.6A,10V 295mΩ@6.6A,10V
漏源极电压Vds 150V 150V
Pd-功率耗散(Max) 110W(Tc) 110W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 D-Pak D-Pak
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 13A 13A
系列 HEXFET® HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 860pF @ 25V 860pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 66nC @ 10V 66nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 860pF @ 25V 860pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 66nC @ 10V 66nC @ 10V
库存与单价
库存 6,002 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥3.96
100+ :  ¥3.311
1,000+ :  ¥3.003
2,000+ :  ¥2.783
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFR6215TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

¥3.96 

阶梯数 价格
20: ¥3.96
100: ¥3.311
1,000: ¥3.003
2,000: ¥2.783
6,002 当前型号
DMP10H400SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

DPAK

¥2.09 

阶梯数 价格
30: ¥2.09
100: ¥1.606
1,250: ¥1.408
2,077 对比
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