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IRFR4105TRPBF  与  IPD25N06S4L30ATMA1  区别

型号 IRFR4105TRPBF IPD25N06S4L30ATMA1
唯样编号 A36-IRFR4105TRPBF A-IPD25N06S4L30ATMA1
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 25A TO252-31
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 29W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 45mΩ@16A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1220pF @ 25V
栅极电压Vgs ±20V -
封装/外壳 D-Pak TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 27A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 16.3nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 30 毫欧 @ 25A,10V
Vgs(最大值) - ±16V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 700pF @ 25V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 55V -
Pd-功率耗散(Max) 68W(Tc) -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.2V @ 8uA
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 700pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 34nC @ 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 25A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 60V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 34nC @ 10V -
库存与单价
库存 5 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFR4105TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

暂无价格 5 当前型号
STD20NF06LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

¥3.608 

阶梯数 价格
20: ¥3.608
100: ¥3.003
1,153 对比
STD20NF06LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比
IPD25N06S4L30ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 对比
STD20NF06T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比
STD16NF06T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比

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