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IRFL110TRPBF  与  BSP296NH6327XTSA1  区别

型号 IRFL110TRPBF BSP296NH6327XTSA1
唯样编号 A36-IRFL110TRPBF A-BSP296NH6327XTSA1
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
宽度 3.5mm -
功率耗散(最大值) - 1.8W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 540mΩ -
上升时间 16ns -
产品特性 - 车规
Qg-栅极电荷 8.3nC -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 152.7pF @ 25V
栅极电压Vgs 2V -
正向跨导 - 最小值 1.1S -
封装/外壳 SOT-223-3 TO-261-4,TO-261AA
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 1.5A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 6.7nC @ 10V
配置 Single -
长度 6.5mm -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 600 毫欧 @ 1.2A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
下降时间 9.4ns -
高度 1.8mm -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 100V -
Pd-功率耗散(Max) 3.1W -
典型关闭延迟时间 15ns -
FET类型 - N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 1.8V @ 100uA
系列 IRFL -
通道数量 1Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 180pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 8.3nC @ 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 1.2A(Ta)
漏源电压(Vdss) - 100V
典型接通延迟时间 6.9ns -
库存与单价
库存 44,614 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
30+ :  ¥1.914
100+ :  ¥1.463
1,250+ :  ¥1.276
2,500+ :  ¥1.21
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFL110TRPBF Vishay  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOT-223-3 1.5A 3.1W 540mΩ 100V 2V

¥1.914 

阶梯数 价格
30: ¥1.914
100: ¥1.463
1,250: ¥1.276
2,500: ¥1.21
44,614 当前型号
ZVN4310GTA Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 3W(Ta) ±20V SOT-223-3 -55℃~150℃(TJ) 100V 1.67A(Ta)

¥4.587 

阶梯数 价格
20: ¥4.587
100: ¥3.663
1,000: ¥3.52
1,043 对比
BSP296NH6327XTSA1 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSP296N H6327_N 通道 TO-261-4,TO-261AA -55°C ~ 150°C(TJ) 车规

暂无价格 0 对比
ZVN4310GTA Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 3W(Ta) ±20V SOT-223-3 -55℃~150℃(TJ) 100V 1.67A(Ta)

暂无价格 0 对比
BSP296N H6327 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSP296NH6327XTSA1_100V 1.2A 329mΩ 20V 1.8W N-Channel -55°C~150°C 车规

暂无价格 0 对比

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