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IRFBC40PBF  与  IPP80R1K2P7XKSA1  区别

型号 IRFBC40PBF IPP80R1K2P7XKSA1
唯样编号 A36-IRFBC40PBF A-IPP80R1K2P7XKSA1
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 600 V 1.2 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220-3 MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 4.7mm -
功率耗散(最大值) - 37W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 1.2Ω -
上升时间 18ns -
Qg-栅极电荷 60nC -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 300pF @ 500V
栅极电压Vgs 2V -
正向跨导 - 最小值 4.7S -
封装/外壳 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 6.2A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 11nC @ 10V
配置 Single -
长度 10.41mm -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 1.2 欧姆 @ 1.7A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
下降时间 20ns -
高度 15.49mm -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 600V -
Pd-功率耗散(Max) 125W -
典型关闭延迟时间 55ns -
FET类型 - N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 80uA
系列 IRFBC -
通道数量 1Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 60nC @ 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 4.5A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 800V
典型接通延迟时间 13ns -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFBC40PBF Vishay  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) TO-220-3 6.2A 125W 1.2Ω 600V 2V

暂无价格 0 当前型号
STP6N60M2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

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IPP80R1K2P7XKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP80R1K2P7_N 通道 TO-220-3 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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