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IRFB4110PBF  与  STP150N10F7  区别

型号 IRFB4110PBF STP150N10F7
唯样编号 A36-IRFB4110PBF A36-STP150N10F7
制造商 Infineon Technologies STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Single N-Channel 100 V 370 W 210 nC Silicon Through Hole Mosfet - TO-220-3 MOSFET N-CH 100V 110A TO220
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.5mΩ@75A,10V -
漏源极电压Vds 100V -
Pd-功率耗散(Max) 370W(Tc) -
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 TO-220AB TO-220-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -
连续漏极电流Id 180A -
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 9620pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 210nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
库存与单价
库存 3,000 75
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
9+ :  ¥5.72
100+ :  ¥4.576
1,000+ :  ¥4.235
6+ :  ¥8.47
购买数量

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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFB4110PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB

¥5.72 

阶梯数 价格
9: ¥5.72
100: ¥4.576
1,000: ¥4.235
3,000 当前型号
AOT292L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220

¥12.2449 

阶梯数 价格
1: ¥12.2449
100: ¥8.8235
500: ¥7.5949
1,000: ¥6
1,000 对比
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IPP045N10N3GXKSA1_TO-220-3

¥20.0273 

阶梯数 价格
8: ¥20.0273
10: ¥15.6194
50: ¥15.1402
100: ¥14.5653
500: ¥14.3736
500 对比
IPP045N10N3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP045N10N3GXKSA1_TO-220-3

暂无价格 500 对比
STP150N10F7 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

¥8.47 

阶梯数 价格
6: ¥8.47
75 对比
STP80NF10 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

¥1.7021 

阶梯数 价格
1: ¥1.7021
25: ¥1.4673
40 对比

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