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IRF8736TRPBF  与  DMN3007LSS-13  区别

型号 IRF8736TRPBF DMN3007LSS-13
唯样编号 A36-IRF8736TRPBF A-DMN3007LSS-13
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 30 V 4.8 mOhm Surface Mount HEXFET Power Mosfet - SOIC-8 Single N-Channel 30 V 2.5 W 64.2 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.8mΩ@18A,10V 7mΩ@15A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 2.5W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-SO SOP
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 18A 16A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 50µA 2.1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2315pF @ 15V 2714pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 26nC @ 4.5V 64.2nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 50µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2315pF @ 15V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 26nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 34,829 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
30+ :  ¥1.782
100+ :  ¥1.43
1,000+ :  ¥1.265
2,000+ :  ¥1.199
4,000+ :  ¥1.144
暂无价格
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30: ¥1.782
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1,000: ¥1.265
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