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IRF7832TRPBF  与  AO4430  区别

型号 IRF7832TRPBF AO4430
唯样编号 A36-IRF7832TRPBF A3-AO4430
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 2.5 W 34 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 355
Rds On(Max)@Id,Vgs 4mΩ@20A,10V 5.5mΩ@10V
ESD Diode - No
Rds On(Max)@4.5V - 7.5mΩ
Qgd(nC) - 15
栅极电压Vgs ±20V 20V
Td(on)(ns) - 12
封装/外壳 8-SO SO-8
工作温度 -55°C~155°C(TJ) -
连续漏极电流Id 20A 18A
Ciss(pF) - 6060
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.32V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4310pF @ 15V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 33.5
Td(off)(ns) - 51.5
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 3W
Qrr(nC) - 22 Ohms
VGS(th) - 2.5
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.32V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 4310pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 51nC @ 4.5V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 51nC @ 4.5V -
Coss(pF) - 638
Qg*(nC) - 48
库存与单价
库存 4,000 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥3.432
100+ :  ¥2.75
1,000+ :  ¥2.453
2,000+ :  ¥2.31
4,000+ :  ¥2.2
暂无价格
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阶梯数 价格
20: ¥3.432
100: ¥2.75
1,000: ¥2.453
2,000: ¥2.31
4,000: ¥2.2
4,000 当前型号
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