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IRF7470TRPBF  与  DMT6016LSS-13  区别

型号 IRF7470TRPBF DMT6016LSS-13
唯样编号 A36-IRF7470TRPBF A3-DMT6016LSS-13
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 40 V 2.5 W 29 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8 DMT6016 Series 60 V 9.2 A 18 mOhm N-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 13mΩ@10A,10V 18mΩ
上升时间 - 5.2ns
漏源极电压Vds 40V 60V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W 2.1W
Qg-栅极电荷 - 17nC
栅极电压Vgs ±12V 1V
典型关闭延迟时间 - 13ns
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 8-SO SO
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 10A 9.2A
系列 - DMT60
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 864pF @ 30V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 17nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
下降时间 - 7ns
典型接通延迟时间 - 3.4ns
库存与单价
库存 36 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥4.873
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF7470TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

¥4.873 

阶梯数 价格
20: ¥4.873
36 当前型号
DMT6016LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SO

¥2.09 

阶梯数 价格
30: ¥2.09
100: ¥1.606
1,250: ¥1.408
2,500: ¥1.32
6,965 对比
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SO

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