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IRF7469TRPBF  与  DMT6016LSS-13  区别

型号 IRF7469TRPBF DMT6016LSS-13
唯样编号 A36-IRF7469TRPBF A3-DMT6016LSS-13
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 40 V 2.5 W 15 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8 DMT6016 Series 60 V 9.2 A 18 mOhm N-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 17mΩ@9A,10V 18mΩ
上升时间 - 5.2ns
漏源极电压Vds 40V 60V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 2.1W
Qg-栅极电荷 - 17nC
栅极电压Vgs ±20V 1V
典型关闭延迟时间 - 13ns
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 8-SO SO
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 9A 9.2A
系列 HEXFET® DMT60
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA 2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2000pF @ 20V 864pF @ 30V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 23nC @ 4.5V 17nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
下降时间 - 7ns
典型接通延迟时间 - 3.4ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2000pF @ 20V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 23nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 3 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF7469TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

暂无价格 3 当前型号
DMT6016LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SO

¥2.09 

阶梯数 价格
30: ¥2.09
100: ¥1.606
1,250: ¥1.408
2,500: ¥1.32
6,965 对比
IRF7469PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

暂无价格 0 对比
IRF7469PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

暂无价格 0 对比
DMT6016LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SO

暂无价格 0 对比
DMT6016LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SO

暂无价格 0 对比

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