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IRF7458TRPBF  与  AO4752  区别

型号 IRF7458TRPBF AO4752
唯样编号 A36-IRF7458TRPBF A-AO4752
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 2.5 W 39 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 36.5
Rds On(Max)@Id,Vgs 8mΩ@14A,16V 8.8mΩ@10V
ESD Diode - No
Rds On(Max)@4.5V - 15.5mΩ
Qgd(nC) - 2.6
栅极电压Vgs ±30V 20V
Td(on)(ns) - 5
封装/外壳 8-SO SO-8
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
连续漏极电流Id 14A 15A
Ciss(pF) - 605
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V,16V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2410pF @ 15V -
Schottky Diode - Yes
Trr(ns) - 11.5
Td(off)(ns) - 17
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 3.1W
Qrr(nC) - 12.5
VGS(th) - 2.5
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2410pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 59nC @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 59nC @ 10V -
Coss(pF) - 275
Qg*(nC) - 5.5
库存与单价
库存 12 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
8+ :  ¥6.391
暂无价格
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