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IRF7404TRPBF  与  DMP4025LSS-13  区别

型号 IRF7404TRPBF DMP4025LSS-13
唯样编号 A36-IRF7404TRPBF A-DMP4025LSS-13
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET MOSFET
描述 MOSFET P-CH 40V 6A 8SO
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 40mΩ@3.2A,4.5V -
漏源极电压Vds 20V 40V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 1.52W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 25mΩ@3A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1640 pF @ 20 V
栅极电压Vgs ±12V ±20V
FET类型 P-Channel P-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 33.7 nC @ 10 V
封装/外壳 8-SO 8-SO
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id 6.7A 6A(Ta)
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 700mV @ 250µA -
驱动电压 - 4.5V,10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1500pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 50nC @ 4.5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.7V,4.5V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 700mV @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1500pF @ 15V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 50nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 8,064 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
30+ :  ¥2.222
100+ :  ¥1.782
1,000+ :  ¥1.595
2,000+ :  ¥1.507
4,000+ :  ¥1.43
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF7404TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

¥2.222 

阶梯数 价格
30: ¥2.222
100: ¥1.782
1,000: ¥1.595
2,000: ¥1.507
4,000: ¥1.43
8,064 当前型号
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阶梯数 价格
20: ¥2.937
100: ¥2.266
1,250: ¥1.969
1,869 对比
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