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IRF3205ZPBF  与  IRF3205PBF  区别

型号 IRF3205ZPBF IRF3205PBF
唯样编号 A36-IRF3205ZPBF A36-IRF3205PBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 55 V 6.5 mOhm 110 nC 170 W Flange Mount Mosfet - TO-220-3 Single N-Channel 55 V 8 mOhm 146 nC 200 W Flange Mount Mosfet - TO-220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 6.5mΩ@66A,10V 8mΩ@62A,10V
漏源极电压Vds 55V 55V
Pd-功率耗散(Max) 170W(Tc) 200W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220AB TO-220AB
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 110A 110A
系列 HEXFET® HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3450pF @ 25V 3247pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 110nC @ 10V 146nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3450pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 110nC @ 10V -
库存与单价
库存 43 4,486
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
20+ :  ¥3.19
30+ :  ¥2.431
50+ :  ¥1.881
1,000+ :  ¥1.562
购买数量

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阶梯数 价格
30: ¥2.431
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