首页 > 商品目录 > > > > IPP034NE7N3GXKSA1代替型号比较

IPP034NE7N3GXKSA1  与  AOT66616L  区别

型号 IPP034NE7N3GXKSA1 AOT66616L
唯样编号 A36-IPP034NE7N3GXKSA1 A-AOT66616L
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 214W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 3.2mΩ@20A,10V
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 125W
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 8130pF @ 37.5V -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 TO-220-3
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.8V @ 155uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 117nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id - 140A
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 3.4 毫欧 @ 100A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 100A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
漏源电压(Vdss) 75V -
库存与单价
库存 401 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
4+ :  ¥13.783
10+ :  ¥11.484
210+ :  ¥9.9402
500+ :  ¥7.7737
1,000+ :  ¥6.0635
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPP034NE7N3GXKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP034NE7N3 G_TO-220-3

¥13.783 

阶梯数 价格
4: ¥13.783
10: ¥11.484
401 当前型号
IRFB7734PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB

暂无价格 0 对比
AOT66616L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220-3

¥9.9402 

阶梯数 价格
210: ¥9.9402
500: ¥7.7737
1,000: ¥6.0635
0 对比
IRFB7734PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB

暂无价格 0 对比
IPP032N06N3GXKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP032N06N3 G_TO-220-3

暂无价格 0 对比
IPP032N06N3GXKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP032N06N3 G_TO-220-3

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售