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FDS4935BZ  与  IRF7328TRPBF  区别

型号 FDS4935BZ IRF7328TRPBF
唯样编号 A36-FDS4935BZ A-IRF7328TRPBF
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Dual P-Channel 30 V 1.6 W 40 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8 Dual P-Channel 30 V 2 W 52 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 22m Ohms@6.9A,10V 21mΩ@8A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 900mW 2W
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 8-SOIC 8-SO
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 6.9A 8A
系列 PowerTrench® HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA 2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1360pF @ 15V 2675pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 40nC @ 10V 78nC @ 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2675pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 78nC @ 10V
库存与单价
库存 2,935 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥3.135
100+ :  ¥2.409
1,250+ :  ¥2.101
2,500+ :  ¥1.98
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDS4935BZ ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

22m Ohms@6.9A,10V 900mW -55°C~150°C(TJ) SOIC P-Channel 30V 6.9A 8-SOIC

¥3.135 

阶梯数 价格
20: ¥3.135
100: ¥2.409
1,250: ¥2.101
2,500: ¥1.98
2,935 当前型号
DMP3028LSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SO 6A 1.7W 25mΩ 30V 1V

¥1.738 

阶梯数 价格
30: ¥1.738
100: ¥1.342
1,250: ¥1.166
1,814 对比
IRF7328TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 21mΩ@8A,10V 2W P-Channel 30V 8A 8-SO

暂无价格 0 对比
IRF7328 Infineon  数据手册 功率MOSFET

-30V SO-8 2P-Channel 20V -6.4A 33mΩ

暂无价格 0 对比
IRF7328PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

21mΩ@8A,10V 2W -55°C~150°C(TJ) P-Channel 30V 8A 8-SO

暂无价格 0 对比
IRF9362 Infineon  数据手册 功率MOSFET

-30V SO-8 32mΩ 2P-Channel 20V -6.4A

暂无价格 0 对比

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