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FDMS86182  与  BSC109N10NS3GATMA1  区别

型号 FDMS86182 BSC109N10NS3GATMA1
唯样编号 A36-FDMS86182 A-BSC109N10NS3GATMA1
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 表面贴装型 N 通道 100 V 78A(Tc) 83W(Tc) 8-PQFN(5x6) MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8-1
数据表
RoHs 不符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 78W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2500pF @ 50V
FET类型 - N 通道
封装/外壳 - 8-PowerTDFN
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 45uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 35nC @ 10V
工作温度 - -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 10.9 毫欧 @ 46A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 63A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 6V,10V
漏源电压(Vdss) - 100V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDMS86182 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

暂无价格 0 当前型号
BSC109N10NS3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC109N10NS3 G_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
BSC109N10NS3 G Infineon 功率MOSFET

BSC109N10NS3GATMA1_100V 63A 10.9mΩ N-Channel

暂无价格 0 对比
BSC061N08NS5ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC061N08NS5_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
BSC061N08NS5 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC061N08NS5ATMA1_6.1mΩ 80V 82A SuperSO8 -55.0°C N-Channel 2.2V,3.8V

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