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FDD86102LZ  与  DMT8012LK3-13  区别

型号 FDD86102LZ DMT8012LK3-13
唯样编号 A36-FDD86102LZ A36-DMT8012LK3-13
制造商 ON Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 FDD86102LZ Series 100 V 8 A 22.5 mOhm N-Ch Shielded Gate PowerTrench Mosfet MOSFET N-CH 80V 44A TO252
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 TO-252-3
工作温度 - -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id - 44A(Tc)
驱动电压 - 4.5V,10V
漏源极电压Vds - 80V
Pd-功率耗散(Max) - 2.7W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 17mΩ@12A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1949 pF @ 40 V
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 34 nC @ 10 V
库存与单价
库存 460 1,527
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
20+ :  ¥3.663
100+ :  ¥2.827
20+ :  ¥3.608
100+ :  ¥3.003
1,250+ :  ¥2.739
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDD86102LZ ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

¥3.663 

阶梯数 价格
20: ¥3.663
100: ¥2.827
460 当前型号
AOD2910 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 100V ±20V 31A 53.5W 24mΩ@20A,10V -55℃~175℃

¥2.0097 

阶梯数 价格
30: ¥2.0097
100: ¥1.5444
1,250: ¥1.3464
2,500: ¥1.2672
2,510 对比
DMT8012LK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 2.7W(Ta) ±20V TO-252-3 -55℃~150℃(TJ) 80V 44A(Tc)

¥3.608 

阶梯数 价格
20: ¥3.608
100: ¥3.003
1,250: ¥2.739
1,527 对比
BUK7227-100B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK7227-100B_SOT428 N-Channel 167W 185℃ 3V 100V 48A

¥8.1273 

阶梯数 价格
490: ¥8.1273
1,000: ¥6.3002
1,250: ¥5.1641
2,500: ¥4.7377
0 对比
AOD4124 AOS 功率MOSFET

7.5A(Ta),54A(Tc) N-Channel ±25V 21 mΩ @ 20A,10V TO-252,(D-Pak) 3.1W(Ta),150W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 100V

暂无价格 0 对比
PSMN025-100D,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN025-100D_SOT428 N-Channel 150W 175℃ 3V 100V 47A

¥23.0698 

阶梯数 价格
400: ¥23.0698
1,000: ¥17.0887
1,250: ¥13.3506
2,500: ¥10.9431
0 对比

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