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FDC637AN  与  AO6404  区别

型号 FDC637AN AO6404
唯样编号 A36-FDC637AN A36-AO6404
制造商 ON Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 20V 0.024 Ohm 2.5V Specified PowerTrench Mosfet
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 200
功率 1.6W(Ta) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 24 毫欧 @ 6.2A,4.5V 17mΩ@10V
ESD Diode - No
Rds On(Max)@1.8V - 33mΩ
Rds On(Max)@4.5V - 18mΩ
Rds On(Max)@2.5V - 24mΩ
Qgd(nC) - 4.7
栅极电压Vgs ±8V 12V
Td(on)(ns) - 2.5
封装/外壳 SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 TSOP-6
连续漏极电流Id 6.2A 8.6A
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -
Ciss(pF) - 1810
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1125pF @ 10V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 22 Ohms
Td(off)(ns) - 49
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 1.6W(Ta) 2W
Qrr(nC) - 9.8
VGS(th) - 1 Ohms
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 PowerTrench® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1125pF @ 10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 16nC @ 4.5V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 16nC @ 4.5V -
Coss(pF) - 232
Qg*(nC) - 17.9
库存与单价
库存 1,956 376
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
20+ :  ¥2.541
100+ :  ¥2.024
750+ :  ¥1.815
1,500+ :  ¥1.716
40+ :  ¥1.562
100+ :  ¥1.199
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDC637AN ON Semiconductor 通用MOSFET

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¥2.541 

阶梯数 价格
20: ¥2.541
100: ¥2.024
750: ¥1.815
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