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FDC5614P  与  DMP6110SVT-13  区别

型号 FDC5614P DMP6110SVT-13
唯样编号 A36-FDC5614P A-DMP6110SVT-13
制造商 ON Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 P-Channel 60 V 105 mohm Logic Level PowerTrench Mosfet - SSOT-6 MOSFET P-CH 60V 7.3A TSOT26
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
封装/外壳 - TSOT-23-6
工作温度 - -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id - 7.3A(Tc)
驱动电压 - 4.5V,10V
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 1.2W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 105mΩ@4.5A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 969 pF @ 30 V
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - P-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 17.2 nC @ 10 V
库存与单价
库存 1,695 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
40+ :  ¥1.551
100+ :  ¥1.243
750+ :  ¥1.111
1,500+ :  ¥1.0439
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDC5614P ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

¥1.551 

阶梯数 价格
40: ¥1.551
100: ¥1.243
750: ¥1.111
1,500: ¥1.0439
1,695 当前型号
FDFS2P106A ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

3A(Ta) ±20V 900mW(Ta) 110m Ohms@3A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC P-Channel 60V 3A 8-SOIC

暂无价格 7,500 对比
ZXMP6A17E6TA Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 1.1W(Ta) 125mΩ@2.3A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-26 P-Channel 60V 3A

¥0.7689 

阶梯数 价格
70: ¥0.7689
200: ¥0.6279
1,296 对比
ZXMP6A17E6TA Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 1.1W(Ta) 125mΩ@2.3A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-26 P-Channel 60V 3A

暂无价格 0 对比
FDFS2P106A ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

3A(Ta) ±20V 900mW(Ta) 110m Ohms@3A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC P-Channel 60V 3A 8-SOIC

暂无价格 0 对比
DMP6110SVT-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

P-Channel 1.2W(Ta) ±20V TSOT-23-6 -55℃~150℃(TJ) 60V 7.3A(Tc)

暂无价格 0 对比

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