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DTC143ZET1G  与  DDTC143ZE-7-F  区别

型号 DTC143ZET1G DDTC143ZE-7-F
唯样编号 A36-DTC143ZET1G A36-DDTC143ZE-7-F
制造商 ON Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用三极管 通用三极管
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
电流-集电极截止(最大值) 500nA -
电流 - 集电极截止(最大值) 500nA -
功率 1/5W -
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 5mA,10V -
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) 250mV @ 1mA,10mA -
电压 - 集射极击穿(最大值) 50V -
电流 - 集电极(Ic)(最大值) 100mA -
封装/外壳 SOT-416 SOT-523
工作温度 - -55℃~150℃
Power-Max 200mW -
晶体管类型 - NPN
R1 - 4.7k Ohms
R2 - 47k Ohms
功率耗散Pd - 150mW
特征频率fT - 250MHz
电阻器-基底(R1)(欧姆) 4.7k -
电阻器-发射极基底(R2)(欧姆) 47K Ohms -
不同 Ib,Ic时的 Vce饱和值(最大值) 250mV @ 1mA,10mA -
FET类型 NPN -
不同 Ic,Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 5mA,10V -
电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 4.7k -
集电极_发射极击穿电压VCEO 50V -
集电极连续电流 - 100mA
集电极最大允许电流Ic 100mA -
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 47K Ohms -
直流电流增益hFE - 80
集电极-发射极最大电压VCEO - 50V
库存与单价
库存 337 1,250
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
80+ :  ¥0.7117
200+ :  ¥0.2808
80+ :  ¥0.6919
200+ :  ¥0.273
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DTC143ZET1G ON Semiconductor  数据手册 通用三极管

SOT-416

¥0.7117 

阶梯数 价格
80: ¥0.7117
200: ¥0.2808
337 当前型号
DTC143ZETL ROHM Semiconductor  数据手册 通用三极管

SOT-416

¥0.6762 

阶梯数 价格
230: ¥0.6762
500: ¥0.4819
1,000: ¥0.4584
2,000: ¥0.4231
4,000: ¥0.4231
119,442 对比
DDTC143TE-7-F Diodes Incorporated  数据手册 通用三极管

SOT-523

¥0.2106 

阶梯数 价格
240: ¥0.2106
1,500: ¥0.1836
3,000: ¥0.162
5,850 对比
DTC143ZETL ROHM Semiconductor  数据手册 通用三极管

SOT-416

¥0.2602 

阶梯数 价格
1: ¥0.2602
25: ¥0.2589
100: ¥0.2231
1,000: ¥0.1922
1,860 对比
DDTC143ZE-7-F Diodes Incorporated  数据手册 通用三极管

SOT-523

¥0.6919 

阶梯数 价格
80: ¥0.6919
200: ¥0.273
1,250 对比
DTC143ZETL ROHM Semiconductor  数据手册 通用三极管

SOT-416

¥0.5962 

阶梯数 价格
90: ¥0.5962
200: ¥0.2715
786 对比

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