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DMT6016LSS-13  与  IRF7469PBF  区别

型号 DMT6016LSS-13 IRF7469PBF
唯样编号 A36-DMT6016LSS-13 A-IRF7469PBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 DMT6016 Series 60 V 9.2 A 18 mOhm N-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 18mΩ 17mΩ@9A,10V
上升时间 5.2ns -
漏源极电压Vds 60V 40V
Pd-功率耗散(Max) 2.1W 2.5W(Ta)
Qg-栅极电荷 17nC -
栅极电压Vgs 1V ±20V
典型关闭延迟时间 13ns -
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 SO 8-SO
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 9.2A 9A
系列 DMT60 -
通道数量 1Channel -
配置 Single -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 864pF @ 30V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 17nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
下降时间 7ns -
典型接通延迟时间 3.4ns -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2000pF @ 20V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 23nC @ 4.5V
库存与单价
库存 2,483 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
30+ :  ¥2.046
100+ :  ¥1.584
1,250+ :  ¥1.375
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMT6016LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SO 9.2A 2.1W 18mΩ 60V 1V

¥2.046 

阶梯数 价格
30: ¥2.046
100: ¥1.584
1,250: ¥1.375
2,483 当前型号
IRF7469PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

17mΩ@9A,10V ±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) N-Channel 40V 9A 8-SO

暂无价格 0 对比
DMT6017LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 1.5W(Ta) ±20V 8-SO -55℃~150℃(TJ) 60V 9.2A(Ta)

暂无价格 0 对比
IRF7470PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±12V 2.5W(Ta) 13mΩ@10A,10V -55°C~150°C(TJ) N-Channel 40V 10A 8-SO

暂无价格 0 对比
IRF7469TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 17mΩ@9A,10V N-Channel 40V 9A 8-SO

暂无价格 0 对比
IRF7478TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 26mΩ@4.2A,10V N-Channel 60V 7A 8-SO

暂无价格 0 对比

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