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DMT6004LPS-13  与  BSC031N06NS3GATMA1  区别

型号 DMT6004LPS-13 BSC031N06NS3GATMA1
唯样编号 A36-DMT6004LPS-13 A-BSC031N06NS3GATMA1
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 22A MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8-1
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 2.5W(Ta),139W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 60V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 11000pF @ 30V
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 PowerDI 8-PowerTDFN
连续漏极电流Id 22A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 93uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 130nC @ 10V
工作温度 - -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 3.1 毫欧 @ 50A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 100A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 60V
库存与单价
库存 10 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
10+ :  ¥5.159
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMT6004LPS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

PowerDI

¥5.159 

阶梯数 价格
10: ¥5.159
10 当前型号
BSC031N06NS3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC031N06NS3 G_8-PowerTDFN

暂无价格 0 对比
BSC031N06NS3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC031N06NS3GATMA1_5.9mm

暂无价格 0 对比

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