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DMP4025LSD-13  与  IRF9362TRPBF  区别

型号 DMP4025LSD-13 IRF9362TRPBF
唯样编号 A36-DMP4025LSD-13 A-IRF9362TRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET 2P-CH 40V 6.9A 8SO P-Channel 30 V 2 W 13 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 21mΩ@8A,10V
漏源极电压Vds 40V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.8W 2W
RdsOn(Max)@Id,Vgs 25mΩ@3A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1640pF @ 20V -
FET类型 2P-Channel P-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 33.7nC @ 10V -
封装/外壳 8-SO 8-SO
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 6.9A 8A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.4V @ 25µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1300pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 39nC @ 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.4V @ 25µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1300pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 39nC @ 10V
库存与单价
库存 26 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥3.388
暂无价格
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