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DMP4015SK3Q-13  与  IPD50P04P4L11ATMA1  区别

型号 DMP4015SK3Q-13 IPD50P04P4L11ATMA1
唯样编号 A36-DMP4015SK3Q-13-1 A-IPD50P04P4L11ATMA1
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P-CH 40V 14A/35A TO252 MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
数据表
RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 58W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 40V -
产品特性 车规 -
Pd-功率耗散(Max) 3.5W(Ta) -
RdsOn(Max)@Id,Vgs 11mΩ@9.8A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 4234 pF @ 20 V 3900pF @ 25V
栅极电压Vgs ±25V -
FET类型 P-Channel P 通道
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 47.5 nC @ 5 V -
封装/外壳 TO-252-3 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 14A(Ta),35A(Tc) -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.2V @ 85uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 59nC @ 10V
驱动电压 4.5V,10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 10.6 毫欧 @ 50A,10V
Vgs(最大值) - ±16V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 50A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) - 40V
库存与单价
库存 3,835 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥2.6532
100+ :  ¥2.0394
1,250+ :  ¥1.782
2,500+ :  ¥1.683
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMP4015SK3Q-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

¥2.6532 

阶梯数 价格
20: ¥2.6532
100: ¥2.0394
1,250: ¥1.782
2,500: ¥1.683
3,835 当前型号
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