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DMP3130L-7  与  RSQ035P03TR  区别

型号 DMP3130L-7 RSQ035P03TR
唯样编号 A36-DMP3130L-7 A-RSQ035P03TR
制造商 Diodes Incorporated ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 通用MOSFET
描述 P-Channel 30 V 77 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3 MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 1.25W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 77mΩ@4.2A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 700mW(Ta) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 780pF @ 10V
栅极电压Vgs ±12V -
FET类型 P-Channel P 通道
封装/外壳 SOT-23 TSMT6(SC-95)
工作温度 -55°C~150°C(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 3.5A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 1mA
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.3V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 432pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 12nC @ 10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 65 毫欧 @ 3.5A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4V,10V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 3.5A(Ta)
漏源电压(Vdss) - 30V
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) - 9.2nC @ 5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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SOT-23

暂无价格 0 当前型号
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2.9mm SOT-23

¥1.232 

阶梯数 价格
50: ¥1.232
200: ¥0.946
1,500: ¥0.8228
1,899 对比
RSR025P03TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

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NTR4171PT1G ON Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

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