首页 > 商品目录 > > > > DMP3099L-7代替型号比较

DMP3099L-7  与  DMP3099L-13  区别

型号 DMP3099L-7 DMP3099L-13
唯样编号 A36-DMP3099L-7 A36-DMP3099L-13
制造商 Diodes Incorporated Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 DMP3099L Series 30 V 65 mOhm P-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3 MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 65mΩ -
上升时间 5ns -
Qg-栅极电荷 11nC -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 563 pF @ 25 V
栅极电压Vgs 1V ±20V
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 5.2 nC @ 4.5 V
封装/外壳 SOT-23 SOT-23-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id 3.8A 3.8A(Ta)
配置 Single -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
下降时间 15ns -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.08W 1.08W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 65mΩ@3.8A,10V
典型关闭延迟时间 31ns -
FET类型 P-Channel P-Channel
系列 DMP3099 -
通道数量 1Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250µA -
驱动电压 - 4.5V,10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 563pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 5.2nC @ 4.5V -
典型接通延迟时间 4.8ns -
库存与单价
库存 60,523 9,096
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
140+ :  ¥0.3705
200+ :  ¥0.2745
1,500+ :  ¥0.2385
3,000+ :  ¥0.2115
120+ :  ¥0.4394
500+ :  ¥0.3991
2,500+ :  ¥0.3705
5,000+ :  ¥0.3458
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMP3099L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

¥0.3705 

阶梯数 价格
140: ¥0.3705
200: ¥0.2745
1,500: ¥0.2385
3,000: ¥0.2115
60,523 当前型号
IRLML9301TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

Micro3™/SOT-23

¥0.7513 

阶梯数 价格
70: ¥0.7513
200: ¥0.6123
1,500: ¥0.5564
3,000: ¥0.52
48,827 对比
DMP3099L-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3

¥0.4394 

阶梯数 价格
120: ¥0.4394
500: ¥0.3991
2,500: ¥0.3705
5,000: ¥0.3458
9,096 对比
IRLML9301TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

Micro3™/SOT-23

¥1.8303 

阶梯数 价格
90: ¥1.8303
100: ¥1.5428
500: ¥1.3512
1,000: ¥1.3512
2,000: ¥1.3416
4,000: ¥1.332
5,982 对比
STR2P3LLH6 STMicro  数据手册 通用MOSFET

SOT-23-3

暂无价格 0 对比
STR2P3LLH6 STMicro  数据手册 通用MOSFET

SOT-23-3

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售