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DMP3085LSD-13  与  IRF7316GTRPBF  区别

型号 DMP3085LSD-13 IRF7316GTRPBF
唯样编号 A36-DMP3085LSD-13 A-IRF7316GTRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SOIC
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
漏源极电压Vds 30V -
功率-最大值 - 2W
Pd-功率耗散(Max) 1.1W -
RdsOn(Max)@Id,Vgs 70mΩ@5.3A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 563pF @ 25V 710pF @ 25V
FET类型 2P-Channel 2 个 P 沟道(双)
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 11nC @ 10V -
封装/外壳 8-SO 8-SOIC(0.154"",3.90mm 宽)
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 3.9A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 34nC @ 10V
FET功能 - 逻辑电平门
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 58 毫欧 @ 4.9A,10V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 4.9A
漏源电压(Vdss) - 30V
库存与单价
库存 315 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
60+ :  ¥0.9526
100+ :  ¥0.6347
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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