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DMP3018SFV-13  与  DMG7401SFG-13  区别

型号 DMP3018SFV-13 DMG7401SFG-13
唯样编号 A36-DMP3018SFV-13 A-DMG7401SFG-13
制造商 Diodes Incorporated Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P-CH 30V 11A PWRDI3333 MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 11mΩ@12A,20V
上升时间 - 15.4 ns
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1W(Ta) 940mW(Ta)
Qg-栅极电荷 - 58 nC
RdsOn(Max)@Id,Vgs 12mΩ@11.5A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2147 pF @ 15 V -
栅极电压Vgs ±25V ±25V
典型关闭延迟时间 - 38 ns
FET类型 P-Channel P-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 51 nC @ 10 V -
封装/外壳 PowerDI3333-8(UX 类) PowerDI
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 11A(Ta),35A(Tc) 9.8A
系列 - DMG
驱动电压 4.5V,10V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2987pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 58nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,20V
下降时间 - 22 ns
典型接通延迟时间 - 11.3 ns
库存与单价
库存 1,215 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
30+ :  ¥1.749
100+ :  ¥1.408
750+ :  ¥1.254
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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¥1.749 

阶梯数 价格
30: ¥1.749
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¥2.068 

阶梯数 价格
30: ¥2.068
100: ¥1.584
1,000: ¥1.32
2,000: ¥1.1
2,117 对比
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