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DMP3015LSSQ-13  与  IRF9388TRPBF  区别

型号 DMP3015LSSQ-13 IRF9388TRPBF
唯样编号 A36-DMP3015LSSQ-13 A-IRF9388TRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 11m Ohms@13A,10V 8.5mΩ@12A,20V
漏源极电压Vds 30V 30V
产品特性 车规 -
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 2.5W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±25V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 8-SO
连续漏极电流Id 13A(Ta) 12A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA 2.4V @ 25µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2748pF @ 20V 1680pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 60.4nC @ 10V 52nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 10V,20V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.4V @ 25µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1680pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 52nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMP3015LSSQ-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

P-Channel 30V 13A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 11m Ohms@13A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 车规

暂无价格 0 当前型号
DMP3015LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

P-Channel 13A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 11m Ohms@13A,10V -55°C~150°C(TJ) 30V 13A 8-SOIC

¥2.2671 

阶梯数 价格
30: ¥2.2671
100: ¥1.7424
1,250: ¥1.5246
2,500: ¥1.4355
4,273 对比
IRF9388TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±25V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 8.5mΩ@12A,20V P-Channel 30V 12A 8-SO

暂无价格 0 对比
DMP3015LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

P-Channel 13A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 11m Ohms@13A,10V -55°C~150°C(TJ) 30V 13A 8-SOIC

暂无价格 0 对比
DMP3015LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

P-Channel 13A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 11m Ohms@13A,10V -55°C~150°C(TJ) 30V 13A 8-SOIC

暂无价格 0 对比
DMP3015LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

P-Channel 13A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 11m Ohms@13A,10V -55°C~150°C(TJ) 30V 13A 8-SOIC

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