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DMP2066LDM-7  与  RTQ035P02TR  区别

型号 DMP2066LDM-7 RTQ035P02TR
唯样编号 A36-DMP2066LDM-7 A-RTQ035P02TR
制造商 Diodes Incorporated ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET P-CH 20V 4.6A SOT-26 MOSFET P-CH 20V 3.5A TSMT6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 1.25W(Ta)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 20V -
Pd-功率耗散(Max) 1.25W(Ta) -
RdsOn(Max)@Id,Vgs 40mΩ@4.6A,4.5V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 820 pF @ 15 V 1200pF @ 10V
栅极电压Vgs ±12V -
FET类型 P-Channel P 通道
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 10.1 nC @ 4.5 V -
封装/外壳 SOT-26 TSMT6(SC-95)
工作温度 -55℃~150℃(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 4.6A(Ta) -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2V @ 1mA
驱动电压 2.5V,4.5V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 65 毫欧 @ 3.5A,4.5V
Vgs(最大值) - ±12V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 2.5V,4.5V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 3.5A(Ta)
漏源电压(Vdss) - 20V
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) - 10.5nC @ 4.5V
库存与单价
库存 5,455 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
60+ :  ¥0.9548
200+ :  ¥0.6589
1,500+ :  ¥0.5995
3,000+ :  ¥0.5599
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMP2066LDM-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-26

¥0.9548 

阶梯数 价格
60: ¥0.9548
200: ¥0.6589
1,500: ¥0.5995
3,000: ¥0.5599
5,455 当前型号
DMP2066LDMQ-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-26

¥1.595 

阶梯数 价格
40: ¥1.595
100: ¥1.221
750: ¥1.0197
1,500: ¥0.9273
2,950 对比
AO6409 AOS  数据手册 功率MOSFET

TSOP-6

¥2.046 

阶梯数 价格
30: ¥2.046
100: ¥1.639
219 对比
RTQ035P02TR ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TSMT6(SC-95)

暂无价格 0 对比
AO6409 AOS  数据手册 功率MOSFET

TSOP-6

暂无价格 0 对比
DMP2066LDMQ-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-26

暂无价格 0 对比

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